홈 제품 소개

IGBT 파워 모듈

모든 제품

직접 회로 칩 (1093)

플래시 메모리 IC 칩 (141)

풀그릴 IC 칩 (269)

전원 LED 드라이버 IC (67)

컴퓨터 IC 칩 (4340)

lcd 패널 유형 (5893)

IGBT 파워 모듈 (6888)

하드 디스크 (370)

MCU 마이크로 제어기 단위 (436)

낮은 신호 릴레이 (0)

rf 전력 트랜지스터 (619)

NPN PNP 트랜지스터 (33)

PCI-E 그래픽 카드 (8)

전자 부품 커패시터 (1)

광섬유 감지기 (4)

전원 은행 (32)

발달 널 (19)

제일 제품

SEMIKRON SK50GAR065 SK55GARL065E IGBT 힘 Moudle 독일제

CM600DY-12NF - 미츠비시 전기 반도체 - 고성능 엇바꾸기 사용

IGBT 힘 단위 7MBR30NF060 - 전기 Fuji - IGBT 단위 고유 instock

인증

고객 검토

Tara는 중대하, 항상 빨리 응답하고 문제 해결에서 아주 도움이 됩니다. 그녀를 다루는 쾌락 입니다.

—— S.A. Xiaozhu Ye Sacoel

당신을 MEGASOURCE, anthony입니다 직업적인 판매 감사하십시오. 우리는 당신과 가진 CO 일 다시.

—— 대만에서 Beson

내가 중국으로 이제까지 한 것이 아마 제일 회사! 부속은 뿐만 아니라 중대하게 보고 모래로 덮이지 않으며 주목되지 않았습니다.

—— 미국에서 Marilyn

good Company.

—— VRG *******

제가 지금 온라인 채팅 해요

1 2 3 4 5

IGBT 파워 모듈

(6888)

IGBT 파워 모듈
접촉

경쟁 이점: 보장: 모든 상품을 위한 365days 자유로운 선박: $600 승리 이상 순서 자유로운 shipme 요금: 상품은 3Kg의 밑에 무겁게 합니다. 메가 근원 전자공학은 발송하게 준비되어 있는 성분을 구입합니다. 찾기 어렵고, 높게 할당한 직접 회로 및 반... 자세히보기

2016-10-17 16:50:05

IGBT 힘 단위 EXA40-48S05- ARTESYN - DC-DC 변환기
접촉

DC-DC 변환기 묘사: 8개의 다른 모형 구성하고 있는 EXA40 시리즈는 원거리 통신, 산업 전자공학, 이동할 수 있는 원거리 통신 및 분배된 힘 시장에 특히 표적으로 합니다. 시리즈는 18 Vdc에서의 2개 넓은 입력 전압 범위를 36 Vdc 및 36 Vdc에서 ... 자세히보기

2014-09-09 15:45:08

IGBT 힘 단위 EXB100-48S3V3 - ARTESYN - DC-DC 변환기
접촉

빠른 세부사항: DC-DC 변환기 묘사: 100개의 W 단 하나 산출에 의하여 고립된 dc dc 변환기의 EXB100 시리즈는 특별히 낮은 전압 실리콘의 힘 필요를 충족시키기 위하여 디자인됩니다. 표준 발자국을 가진 열려있 구조 포장에서 유숙해, 이 최신 세대 변환기는 ... 자세히보기

2016-10-24 11:46:01

EXQ125-48S12-R - ARTESYN - 사업 긴요한 계속성을 위한 묻힌 힘
접촉

빠른 세부사항: 사업 긴요한 계속성을 위한 묻힌 힘 묘사: EXQ125는 새로운 고능률, 업계 표준 내무반 벽돌 발자국에 있는 100개 와트 변환기 시리즈이라고 고립된 열린 구조 입니다. EXQ125는 낮은 전압에 아주 높은 산출 현재, 및 오늘 상한 신청을 위해 우수... 자세히보기

2014-09-09 15:45:08

F24S15350Z - 델타 - 델피 시리즈 F24SA의 700W 가득 차있는 벽돌 가족 DC/DC 힘 단위: 24Vin, 28Vout
접촉

빠른 세부사항: 델피 시리즈 F24SA의 700W 가득 차있는 벽돌 가족 DC/DC 힘 단위: 24Vin, 28Vout 묘사: 델피 시리즈 F24SA의 24V 입력, 단 하나 산출은, 가득 차있는 벽돌에 의하여 치수가 재진 고립된 DC/DC 변환기 전원 시스템 기술에 ... 자세히보기

2016-10-24 11:49:51

IGBT 힘 단위 MBM150HR6HY- TOSHIBA - 히타치 IGBT 단위/실리콘 N 수로 IGBT
접촉

빠른 세부사항: 히타치 IGBT 단위/실리콘 N 수로 IGBT 묘사: [정격 150A/1200V의 이중 팩 유형] 신청: • 낮은 포화 전압 및 고속. • 낮은 회전 떨어져 엇바꾸기 손실. • 붙박이 자유분방한 다이오드 저잡음 때문에. (매우 연약하고 빠른 회복 다이오... 자세히보기

2014-09-09 15:45:10

IGBT 힘 단위 FKP300A - 전기 Sanken - N 수로 MOS FET
접촉

빠른 세부사항: N 수로 MOS FET 묘사: ●PDP 몰기 ● 고속 엇바꾸기 N 수로 MOS FET 신청: ●Low에 저항 ●Low 입력 용량 보장되는 ●Avalanche 에너지 기능 명세: 부품 번호. FKP300A 제조자 전기 Sanken 공급 능력 10000 ... 자세히보기

2014-09-09 15:45:10

IGBT 힘 단위 MCC162-18I01 - TOSHIBA - 사이리스터 단위 사이리스터/다이오드 단위
접촉

빠른 세부사항: 사이리스터 단위 사이리스터/다이오드 단위 묘사: ITRMS = 2x 300 A ITAVM = 2x 190 A VRRM = 800-1800의 볼트 신청: ● 국제 기준 포장 ● 직접적인 구리 보세품 Al2O3 – 세라믹 기본 격판덮개 ● 평면 ... 자세히보기

2014-09-09 15:45:11

IGBT 힘 단위 FMBL1G300US60 - Fairchild - IGBT
접촉

빠른 세부사항: IGBT 묘사: Fairchild의 격리한 문 양극 트랜지스터 (IGBT) 힘 단위는 낮은 유도와 엇바꾸기 손실을 제공하고 뿐 아니라 ruggedness를 단락시킵니다. 그들은 모터 통제 부단한 전력 공급 (UPS) 및 단락 ruggedness가 필수 ... 자세히보기

2014-09-09 15:45:10

IGBT 힘 단위 MBM300GS12A - TOSHIBA - 실리콘 N 수로 IGBT
접촉

빠른 세부사항: 실리콘 N 수로 IGBT 묘사: 실리콘 N 수로 IGBT 신청: * 고속과 낮은 포화 전압. * 붙박이 자유롭게 행동 저잡음 때문에 다이오드 - 매우 연약한 빠른 회복 다이오드 (USFD). * 고립된 맨 위 수채 (기초에 맨끝). 명세: 부품 번호. ... 자세히보기

2016-10-24 11:57:58

Page 1 of 689|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|