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SEMIKRON SK50GAR065 SK55GARL065E IGBT 힘 Moudle 독일제

CM600DY-12NF - 미츠비시 전기 반도체 - 고성능 엇바꾸기 사용

IGBT 힘 단위 7MBR30NF060 - 전기 Fuji - IGBT 단위 고유 instock

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고객 검토

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2016-10-17 16:50:05

중국 IGBT 힘 단위 EXA40-48S05- ARTESYN - DC-DC 변환기 공장

IGBT 힘 단위 EXA40-48S05- ARTESYN - DC-DC 변환기
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DC-DC 변환기 묘사: 8개의 다른 모형 구성하고 있는 EXA40 시리즈는 원거리 통신, 산업 전자공학, 이동할 수 있는 원거리 통신 및 분배된 힘 시장에 특히 표적으로 합니다. 시리즈는 18 Vdc에서의 2개 넓은 입력 전압 범위를 36 Vdc 및 36 Vdc에서 ... Read More

2014-09-09 15:45:08

중국 IGBT 힘 단위 EXB100-48S3V3 - ARTESYN - DC-DC 변환기 공장

IGBT 힘 단위 EXB100-48S3V3 - ARTESYN - DC-DC 변환기
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빠른 세부사항: DC-DC 변환기 묘사: 100개의 W 단 하나 산출에 의하여 고립된 dc dc 변환기의 EXB100 시리즈는 특별히 낮은 전압 실리콘의 힘 필요를 충족시키기 위하여 디자인됩니다. 표준 발자국을 가진 열려있 구조 포장에서 유숙해, 이 최신 세대 변환기는 ... Read More

2016-10-24 11:46:01

중국 EXQ125-48S12-R - ARTESYN - 사업 긴요한 계속성을 위한 묻힌 힘 공장

EXQ125-48S12-R - ARTESYN - 사업 긴요한 계속성을 위한 묻힌 힘
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빠른 세부사항: 사업 긴요한 계속성을 위한 묻힌 힘 묘사: EXQ125는 새로운 고능률, 업계 표준 내무반 벽돌 발자국에 있는 100개 와트 변환기 시리즈이라고 고립된 열린 구조 입니다. EXQ125는 낮은 전압에 아주 높은 산출 현재, 및 오늘 상한 신청을 위해 우수... Read More

2014-09-09 15:45:08

중국 F24S15350Z - 델타 - 델피 시리즈 F24SA의 700W 가득 차있는 벽돌 가족 DC/DC 힘 단위: 24Vin, 28Vout 공장

F24S15350Z - 델타 - 델피 시리즈 F24SA의 700W 가득 차있는 벽돌 가족 DC/DC 힘 단위: 24Vin, 28Vout
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빠른 세부사항: 델피 시리즈 F24SA의 700W 가득 차있는 벽돌 가족 DC/DC 힘 단위: 24Vin, 28Vout 묘사: 델피 시리즈 F24SA의 24V 입력, 단 하나 산출은, 가득 차있는 벽돌에 의하여 치수가 재진 고립된 DC/DC 변환기 전원 시스템 기술에 ... Read More

2016-10-24 11:49:51

중국 IGBT 힘 단위 MBM150HR6HY- TOSHIBA - 히타치 IGBT 단위/실리콘 N 수로 IGBT 공장

IGBT 힘 단위 MBM150HR6HY- TOSHIBA - 히타치 IGBT 단위/실리콘 N 수로 IGBT
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빠른 세부사항: 히타치 IGBT 단위/실리콘 N 수로 IGBT 묘사: [정격 150A/1200V의 이중 팩 유형] 신청: • 낮은 포화 전압 및 고속. • 낮은 회전 떨어져 엇바꾸기 손실. • 붙박이 자유분방한 다이오드 저잡음 때문에. (매우 연약하고 빠른 회복 다이오... Read More

2014-09-09 15:45:10

중국 IGBT 힘 단위 FKP300A - 전기 Sanken - N 수로 MOS FET 공장

IGBT 힘 단위 FKP300A - 전기 Sanken - N 수로 MOS FET
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빠른 세부사항: N 수로 MOS FET 묘사: ●PDP 몰기 ● 고속 엇바꾸기 N 수로 MOS FET 신청: ●Low에 저항 ●Low 입력 용량 보장되는 ●Avalanche 에너지 기능 명세: 부품 번호. FKP300A 제조자 전기 Sanken 공급 능력 10000 ... Read More

2014-09-09 15:45:10

중국 IGBT 힘 단위 MCC162-18I01 - TOSHIBA - 사이리스터 단위 사이리스터/다이오드 단위 공장

IGBT 힘 단위 MCC162-18I01 - TOSHIBA - 사이리스터 단위 사이리스터/다이오드 단위
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빠른 세부사항: 사이리스터 단위 사이리스터/다이오드 단위 묘사: ITRMS = 2x 300 A ITAVM = 2x 190 A VRRM = 800-1800의 볼트 신청: ● 국제 기준 포장 ● 직접적인 구리 보세품 Al2O3 – 세라믹 기본 격판덮개 ● 평면 ... Read More

2014-09-09 15:45:11

중국 IGBT 힘 단위 FMBL1G300US60 - Fairchild - IGBT 공장

IGBT 힘 단위 FMBL1G300US60 - Fairchild - IGBT
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빠른 세부사항: IGBT 묘사: Fairchild의 격리한 문 양극 트랜지스터 (IGBT) 힘 단위는 낮은 유도와 엇바꾸기 손실을 제공하고 뿐 아니라 ruggedness를 단락시킵니다. 그들은 모터 통제 부단한 전력 공급 (UPS) 및 단락 ruggedness가 필수 ... Read More

2014-09-09 15:45:10

중국 IGBT 힘 단위 MBM300GS12A - TOSHIBA - 실리콘 N 수로 IGBT 공장

IGBT 힘 단위 MBM300GS12A - TOSHIBA - 실리콘 N 수로 IGBT
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빠른 세부사항: 실리콘 N 수로 IGBT 묘사: 실리콘 N 수로 IGBT 신청: * 고속과 낮은 포화 전압. * 붙박이 자유롭게 행동 저잡음 때문에 다이오드 - 매우 연약한 빠른 회복 다이오드 (USFD). * 고립된 맨 위 수채 (기초에 맨끝). 명세: 부품 번호. ... Read More

2016-10-24 11:57:58

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