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제품 소개NPN PNP 트랜지스터

N 수로 22-V (D-S) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252

N 수로 22-V (D-S) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252

    • N-Channel 22-V (D-S) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252
    • N-Channel 22-V (D-S) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252
  • N-Channel 22-V (D-S) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252

    제품 상세 정보:

    원래 장소: /
    브랜드 이름: VISHAY
    인증: RoHS Compliant
    모델 번호: SUD50N024-06P

    결제 및 배송 조건:

    최소 주문 수량: 5 PCS
    가격: Pls Contact sales team
    포장 세부 사항: 표준 포장
    배달 시간: 1 일
    지불 조건: T/T, Paypal, 서부 동맹 조건부 날인 증서 등등.
    공급 능력: 1035
    지금 연락
    상세 제품 설명
    부분 없음: SUD50N024-06P manufacturer: Vishay
    꾸러미: TO-252 설명: N 수로 22-V (D-S) 175C MOSFET

    N 채널 22-V (DS) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252

    풍모
    의 TrenchFET 파워 MOSFET
    175 C 접합 온도
    PWM은 고효율에 최적화


    응용 프로그램
    동기식 벅 DC / DC 변환
    - 바탕 화면
    - 섬기는 사람

    FET 유형 MOSFET N 채널, 금속 산화물
    FET 특징 표준
    소스 전압에 드레인 (Vdss) 22V
    전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ° C 49A (TC)
    이드의 Vgs @ RDS ON (최대) 9.5 옴 @ 20A, 10V
    아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250μA
    게이트 충전 (의 Qg) @의 Vgs 16nC @ 4.5V
    입력 커패시턴스 Vds를 @ (Ciss이) 1300pF @ 10V
    전력 - 최대 39.5W
    실장 형 표면 실장 (SMD, SMT)
    패키지 / 케이스 TO-252-3, DPAK (2 리드 (Lead) + 탭), SC-63

    RF 전력 트랜지스터 FLL300IL-3 후지쯔 L 밴드 중간 및 높은 전력의 GaAs FET

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    제품 유형 및 조건 :
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    보증 및 보증 :
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