N 수로 22-V (D-S) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252

N-Channel 22-V (D-S) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252

제품 상세 정보:

원래 장소:	/
브랜드 이름:	VISHAY
인증:	RoHS Compliant
모델 번호:	SUD50N024-06P

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가격:	Pls Contact sales team
포장 세부 사항:	표준 포장
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지불 조건:	T/T, Paypal, 서부 동맹 조건부 날인 증서 등등.
공급 능력:	1035

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상세 제품 설명

부분 없음:	SUD50N024-06P	manufacturer:	Vishay
꾸러미:	TO-252	설명:	N 수로 22-V (D-S) 175C MOSFET
하이 라이트:	np npn transistor , common pnp transistor

부분 없음:

SUD50N024-06P

manufacturer:

Vishay

꾸러미:

TO-252

설명:

N 수로 22-V (D-S) 175C MOSFET

하이 라이트:

np npn transistor

common pnp transistor

N 채널 22-V (DS) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252

풍모
의 TrenchFET 파워 MOSFET
175 C 접합 온도
PWM은 고효율에 최적화

응용 프로그램
동기식 벅 DC / DC 변환
- 바탕 화면
- 섬기는 사람

FET 유형	MOSFET N 채널, 금속 산화물
FET 특징	표준
소스 전압에 드레인 (Vdss)	22V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ° C	49A (TC)
이드의 Vgs @ RDS ON (최대)	9.5 옴 @ 20A, 10V
아이디 @ VGS (일) (최대)	3V @ 250μA
게이트 충전 (의 Qg) @의 Vgs	16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 Vds를 @ (Ciss이)	1300pF @ 10V
전력 - 최대	39.5W
실장 형	표면 실장 (SMD, SMT)
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPAK (2 리드 (Lead) + 탭), SC-63

RF 전력 트랜지스터 FLL300IL-3 후지쯔 L 밴드 중간 및 높은 전력의 GaAs FET

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