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IS41LV16100B-60KL- 1M x 에도 페이지 형태를 가진 16 (16-MBIT) 동 렘

IS41LV16100B-60KL- 1M x 에도 페이지 형태를 가진 16 (16-MBIT) 동 렘

    • IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
    • IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
  • IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

    제품 상세 정보:

    원래 장소: 필리핀
    브랜드 이름: Integrated Silicon Solution, Inc
    인증: Lead free / RoHS Compliant
    모델 번호: IS41LV16100B-60KL

    결제 및 배송 조건:

    최소 주문 수량: 50
    가격: Contact for Sample
    포장 세부 사항: 견본을 위한 접촉
    배달 시간: 삼일 이내
    지불 조건: 미리 T/T, Paypal, 서부 동맹
    공급 능력: 5000
    지금 연락
    상세 제품 설명
    포장: 튜브 기억 용량: 16M (1M x 16)
    자동차는 형태를 상쾌하게 합니다:: 1,024 주기 /16 Ms 산업 온도 편차:: -40oC에 +85oC

     

    IS41LV16100B-60KL - 통합 실리콘 해결책, 동 Inc - 에도 페이지 형태를 가진 1M x 16 (16-MBIT) 렘

     

     

    빠른 세부사항:

     

    에도 페이지 형태를 가진 1M x 16 (16-MBIT) 동 렘

     

     

    묘사:

     

    ISSI IS41LV16100B는 1,048,576의 x 16-비트 고성능 CMOS 동적 RAM 입니다. 이 장치는 가속한 주기 접근에 의하여 불린 에도 페이지 형태를 제안합니다. 에도 페이지 형태는 16-비트 낱말 당 20 ns 만큼 짧은 접근 주기 시간을 가진 단 하나 줄 내의 1,024 랜덤 액세스를 허용합니다.

    이 특징은 이상적으로 높 대역폭 도표, 디지털 신호 처리, 고성능 계산 체계 및 주변 신청을 위해 적응된 IS41LV16100B를 만듭니다.

    IS41LV16100B는 42 핀 400 밀 SOJ 및 400 밀 50에서 - (44-) 핀 TSOP (II) 유형 포장됩니다.

     

     

    신청:

     

    • TTL 호환성 입출력; 3상태 입력/출력

    • 간격을 상쾌하게 하십시오:

    — 자동차는 형태를 상쾌하게 합니다: 1,024 주기 /16 Ms

    — RAS-Only, (CBR)CAS의 앞에 RAS, 그리고 숨기는

    • JEDEC 기준 pinout

    • 단 하나 전력 공급: 3.3V ± 10%

    • 바이트는 읽기 작업 2 CAS를 통해 쓰고 바이트

    • 산업 온도 편차: -40oC에 +85oC

    • 무연 유효한

     

     

    명세:

     

    자료표

    IS41LV16100B

    표준 패키지

    16

    종류

    직접 회로 (ICs)

    가족

    기억

    시리즈

    -

    포장

    체재 - 기억

    기억 유형

    드램 - 에도

    기억 용량

    16M (1M x 16)

    속도

    60ns

    공용영역

    평행선

    전압 - 공급

    3개의 볼트 ~ 3.6 볼트

    작용 온도

    0°C ~ 70°C

    포장/케이스

    42 SOJ

    공급자 장치 포장

    42 SOJ

     

     

    경쟁 이점:

     

    보장: 180 일!
    자유로운 선박: $1000 승리 이상 순서 자유로운 선적 요금
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