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Mega Source Elec.Limited

MRF9080LR3 - Freescale 반도체, Inc - RF 힘 전계효과 트랜지스터 (N−Channel Enhancement−Mode 옆쪽 MOSFETs

MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs

제품 상세 정보:

원래 장소: Freescale 반도체
브랜드 이름: MOT
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: MRF9080LR3

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 50
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 견본을 위한 접촉
배달 시간: 삼일 이내
지불 조건: 미리 T/T, Paypal, 서부 동맹
공급 능력: 5000
지금 연락
상세 제품 설명

빠른 세부사항:
MRF9080LR3 - Freescale 반도체, Inc - RF 힘 전계효과 트랜지스터 (N−Channel Enhancement−Mode 옆 MOSFETs)

묘사:

900 MHz 주파수 대를 GSM를 위해 디자인하는, 고이득 및 광대역
large−signal, common−를 위한 이상이 이 장치의 성과에 의하여 그(것)들에게 합니다
26 볼트 기지국 장비에 있는 근원 증폭기 신청.


신청:

• GSM 주파수, 921에서 960 MHz, 26 볼트를 위한 전형적인 성과
출력 전력 @ P1db: 75 와트
힘 이익 @ P1db: 18.5 dB
효율성 @ P1db: 55%
• 사용 용이를 위한 내부적으로 일치하곤, 통제되는 Q,
• 고이득, 고능률 및 높은 선형성
• 통합 ESD 보호
• 최대 이익과 삽입 단계 편평함을 위해 디자인하는
• 5:1 VSWR, @ 26 Vdc 취급 가능한, 921 MHz, CW 90 와트
출력 전력
• 우수한 열 안정성
• 시리즈 동등한 Large−Signal 임피던스 매개변수로 성격을 나타내는
• 지도에 낮은 금 도금 간격에 유효한. L 접미어는 나타냅니다
40µ ″ 명사류.
• 테이프와 권선에서. R3 접미어 = 56 mm 당 250 단위, 13 인치 권선


명세:

자료표

MRF9080 시리즈

표준 패키지

250

종류

분리된 반도체 제품

가족

RF FETs

시리즈

-

포장

테이프 & 권선 (TR)

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이익

18.5dB

전압 - 시험

26V

현재 등급

10µA

소음 숫자

-

현재 - 시험

600mA

힘 - 산출

75W

정격 전압 -

65V

포장/케이스

NI-780

공급자 장치 포장

NI-780




경쟁 이점:

보장: 모든 상품을 위한 180days
자유로운 선박: $600 승리 이상 순서 자유로운 선적 요금: 상품은 3Kg의 밑에 무겁게 합니다.
메가 근원 전자공학은 발송하게 준비되어 있는 분대를 구입합니다. 찾기 어렵고, 높게 할당한 직접 회로 및 반도체는 저희에 의해 모두 찾아낼 수 있습니다 입니다.
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꼬리표:
MRF9080LSR3

연락처 세부 사항
Mega Source Elec.Limited

담당자: savvy

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