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제품 소개직접 회로 칩

직접 회로 칩 K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 90FBGA에 있는 4개의 은행 이동할 수 있는 SDRAM

직접 회로 칩 K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 90FBGA에 있는 4개의 은행 이동할 수 있는 SDRAM

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직접 회로 칩 K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 90FBGA에 있는 4개의 은행 이동할 수 있는 SDRAM
제품 상세 정보:
원래 장소: 대한민국
브랜드 이름: SAMSUNG
인증: LEAD FREE/ROHS COMPLIANT
모델 번호: K4M513233C-DN75
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 견본을 위한 접촉
배달 시간: 재고 없음
지불 조건: 미리 T/T, Paypal, 서부 동맹
공급 능력: 9600
접촉
상세 제품 설명
꾸러미: 90FBGA 상표: 삼성
전력 공급.: • 3.0V & 3.3V 상업적인 온도 가동: (- 25°C ~ 70°C).
하이 라이트:

IC 직접 회로

,

직접 회로 칩

빠른 세부사항:

4M x 32Bit x 90FBGA에 있는 4개의 은행 이동할 수 있는 SDRAM

묘사:

K4M513233C는 536,870,912 조금 삼성 고성능 CMOS 기술로 날조된 32 조금에 의해 4개 x 4,196,304의 단어로 편성된 동시 높은 전송율 동 렘입니다. 동시 디자인은 시스템 클럭의 사용을 가진 정확한 주기 통제를 허용하고 입력/출력 거래는 각 클럭 사이클에 가능합니다. 동작 주파수의 범위, 풀그릴 파열 길이 및 풀그릴 잠복은 동일한 장치를 다양한 높은 대역폭과 고성능 메모리 시스템 신청을 위해 유용한 허용합니다

 

신청:

•  3.0V & 3.3V 전력 공급.

•  다중 송신된 주소와 호환이 되는 LVCMOS.

•  4개의 은행 가동.

•  주소 키 프로그램을 가진 여사 주기.

     -. CAS 잠복 (1, 2 & 3).

     -. 파열 길이 (1, 2, 4, 8 & 전면).

     -. (연속되는 & 인터리브) 파열 유형.

•  주소 키 프로그램을 가진 EMRS 주기.

•  모든 입력은 체계의 긍정적인 가는 가장자리에 간색됩니다

    시계.

•  파열은 단일 비트를 씁니다 가동을 읽었습니다.

•  특수 함수 지원.

     -. PASR (부분적인 배열 각자는 상쾌하게 합니다).

     -. 내부 TCSR (온도에 의하여 보상된 각자는 상쾌하게 합니다)   

•   복면을 위한 DQM.

•  자동차는 상쾌하게 합니다.

•  64ms는 기간을 (8K 주기) 상쾌하게 합니다.

•  상업적인 온도 가동 (- 25°C ~ 70°C).

•  장시간 온도 가동 (- 25°C ~ 85°C).

•  90Balls FBGA

명세:

부품 번호.

K4M513233C-DN75

제조자

삼성

공급 능력

1920년

datecode

07+

포장

BGA

새로운 본래 주식

 

부품 번호 QTY MFG 포장
MC74HC595ADTR2G 10000 TSSIP
MC74HC165ADTR2G 7800 TSSOP
LM4871MM 4000 NS MSOP
ADXL335BCPZ 22000 광고 LFCSP-16
PIC16F648A I/P 30000 마이크로칩 복각
88SA8040B1-NNC1C000 20000 MARVELL QFN
DF08M 45000 9월 복각
FR9618SPCTR 10000 FR SOP-8

경쟁 이점:

 

 메가 근원 전자공학은 발송하게 준비되어 있는 성분을 구입합니다. 찾기 어렵고, 높게 할당한 직접 회로 및 반도체는 저희에 의해 모두 찾아낼 수 있습니다 입니다.

메가 근원 전자공학은 빠르고, 편리한 능률 우리의 서비스를 아주 보장할 수 있는 세계적인 근수 네트워크 설치했습니다, 및 잘 발달하는 근수 체계를.

 

 

연락처 세부 사항
Mega Source Elec.Limited

담당자: savvy

전화 번호: +8613302928193

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