직접 회로 칩 K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 90FBGA에 있는 4개의 은행 이동할 수 있는 SDRAM

빠른 세부사항:

4M x 32Bit x 90FBGA에 있는 4개의 은행 이동할 수 있는 SDRAM

묘사:

K4M513233C는 536,870,912 조금 삼성 고성능 CMOS 기술로 날조된 32 조금에 의해 4개 x 4,196,304의 단어로 편성된 동시 높은 전송율 동 렘입니다. 동시 디자인은 시스템 클럭의 사용을 가진 정확한 주기 통제를 허용하고 입력/출력 거래는 각 클럭 사이클에 가능합니다. 동작 주파수의 범위, 풀그릴 파열 길이 및 풀그릴 잠복은 동일한 장치를 다양한 높은 대역폭과 고성능 메모리 시스템 신청을 위해 유용한 허용합니다

신청:

•  3.0V & 3.3V 전력 공급.

•  다중 송신된 주소와 호환이 되는 LVCMOS.

•  4개의 은행 가동.

•  주소 키 프로그램을 가진 여사 주기.

     -. CAS 잠복 (1, 2 & 3).

     -. 파열 길이 (1, 2, 4, 8 & 전면).

     -. (연속되는 & 인터리브) 파열 유형.

•  주소 키 프로그램을 가진 EMRS 주기.

•  모든 입력은 체계의 긍정적인 가는 가장자리에 간색됩니다

    시계.

•  파열은 단일 비트를 씁니다 가동을 읽었습니다.

•  특수 함수 지원.

     -. PASR (부분적인 배열 각자는 상쾌하게 합니다).

     -. 내부 TCSR (온도에 의하여 보상된 각자는 상쾌하게 합니다)   

•   복면을 위한 DQM.

•  자동차는 상쾌하게 합니다.

•  64ms는 기간을 (8K 주기) 상쾌하게 합니다.

•  상업적인 온도 가동 (- 25°C ~ 70°C).

•  장시간 온도 가동 (- 25°C ~ 85°C).

•  90Balls FBGA

명세:

경쟁 이점:

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