원래 장소: | 대한민국 |
브랜드 이름: | SAMSUNG |
인증: | LEAD FREE/ROHS COMPLIANT |
모델 번호: | K4M513233C-DN75 |
최소 주문 수량: | 1 |
---|---|
가격: | Contact for Sample |
포장 세부 사항: | 견본을 위한 접촉 |
배달 시간: | 재고 없음 |
지불 조건: | 미리 T/T, Paypal, 서부 동맹 |
공급 능력: | 9600 |
꾸러미: | 90FBGA | 상표: | 삼성 |
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전력 공급.: | • 3.0V & 3.3V | 상업적인 온도 가동: | (- 25°C ~ 70°C). |
하이 라이트: | ic integrated circuits,integrated circuit chips |
빠른 세부사항:
4M x 32Bit x 90FBGA에 있는 4개의 은행 이동할 수 있는 SDRAM
묘사:
K4M513233C는 536,870,912 조금 삼성 고성능 CMOS 기술로 날조된 32 조금에 의해 4개 x 4,196,304의 단어로 편성된 동시 높은 전송율 동 렘입니다. 동시 디자인은 시스템 클럭의 사용을 가진 정확한 주기 통제를 허용하고 입력/출력 거래는 각 클럭 사이클에 가능합니다. 동작 주파수의 범위, 풀그릴 파열 길이 및 풀그릴 잠복은 동일한 장치를 다양한 높은 대역폭과 고성능 메모리 시스템 신청을 위해 유용한 허용합니다
신청:
• 3.0V & 3.3V 전력 공급.
• 다중 송신된 주소와 호환이 되는 LVCMOS.
• 4개의 은행 가동.
• 주소 키 프로그램을 가진 여사 주기.
-. CAS 잠복 (1, 2 & 3).
-. 파열 길이 (1, 2, 4, 8 & 전면).
-. (연속되는 & 인터리브) 파열 유형.
• 주소 키 프로그램을 가진 EMRS 주기.
• 모든 입력은 체계의 긍정적인 가는 가장자리에 간색됩니다
시계.
• 파열은 단일 비트를 씁니다 가동을 읽었습니다.
• 특수 함수 지원.
-. PASR (부분적인 배열 각자는 상쾌하게 합니다).
-. 내부 TCSR (온도에 의하여 보상된 각자는 상쾌하게 합니다)
• 복면을 위한 DQM.
• 자동차는 상쾌하게 합니다.
• 64ms는 기간을 (8K 주기) 상쾌하게 합니다.
• 상업적인 온도 가동 (- 25°C ~ 70°C).
• 장시간 온도 가동 (- 25°C ~ 85°C).
• 90Balls FBGA
명세:
부품 번호. |
K4M513233C-DN75 |
제조자 |
삼성 |
공급 능력 |
1920년 |
datecode |
07+ |
포장 |
BGA |
말 |
새로운 본래 주식 |
부품 번호 | QTY | MFG | 포장 |
MC74HC595ADTR2G | 10000 | 에 | TSSIP |
MC74HC165ADTR2G | 7800 | 에 | TSSOP |
LM4871MM | 4000 | NS | MSOP |
ADXL335BCPZ | 22000 | 광고 | LFCSP-16 |
PIC16F648A I/P | 30000 | 마이크로칩 | 복각 |
88SA8040B1-NNC1C000 | 20000 | MARVELL | QFN |
DF08M | 45000 | 9월 | 복각 |
FR9618SPCTR | 10000 | FR | SOP-8 |
경쟁 이점:
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